相關參數：
| 項目 | 描述 |
| SE分辨率 | 3.0nm (30kV)，高真空模式 / 10nm (3kV), 高真空模式 |
| BSE分辨率 | 4.0nm (30kV)，低真空模式 |
| 放大倍率 | x5 ~ x300,000 |
| 加速電壓 | 0.3 ~ 30 kV |
| 低真空范圍 | 6 ~ 270 Pa |
| 最大樣品尺寸 | 直徑200mm |
| 樣品臺 | I型 II型 |
| X | 0 ~ 80mm 0 ~ 100mm |
| Y | 0 ~ 40mm 0 ~ 50mm |
| Z | 5 ~ 35mm 5 ~ 65mm |
| R | 360o 360o |
| T | -20o~ +90o -20o ~ +90o |
| T | -20o~ +90o -20o ~ +90o |
| 最大樣品高度 | 35mm (WD=10mm) 80mm (WD=10mm) |
| 驅動類型 | 手動 五軸馬達驅動 |
| 燈絲 | 預對中鎢燈絲 |
| 物鏡光欄 | 可移動式4孔物鏡光欄 |
| 槍偏壓 | 固定比例偏壓、手動偏壓和自動4偏 |
| 檢測器 | 二次電子檢測器 高靈敏度半導體背散射電子檢測器 |
| 分析位置 | WD=10mm, TOA=35o |
| 控制 | 鼠標、鍵盤，手動旋鈕 |
| 自動調校 | 自動燈絲飽和、自動4偏壓、自動槍對中、自動束流設定、自動合軸、自動聚焦 消像散、自動亮度對比度 |
詳細說明
1. S-3400N具有強大的自動功能，包括自動燈絲飽和、4偏壓、自動槍對中、自動束流設定、
自動合軸自動聚焦和消像散、自動亮度對比度等。
2. 在3kV低加速電壓時保證有10nm的分辨率。
3. 新型5分割高靈敏半導體式背散射探頭。
4. S-3400N II型具有五軸馬達臺，傾斜角度可達-20度~+90度，樣品最高可達80mm。
5. 分析樣品倉可以同時安裝EDX ， WDX 及EBSD。
6. 真空系統使用渦輪分子泵，潔凈、高效
